应用领域

PD电源

  随着现代社会的快速发展,⼈们对⼤功率电源需求激增,使得⼤功率电源领域正⾯临着体积、重量、⼯作效率、抗⼲扰性能、电池兼容、待机能耗以及安全性等诸多⽅⾯的严苛要求考验。 天驰针对⼤功率电源等应⽤⾃主研发了采⽤先进多层外延的MOS,具有电流密度⾼、短路能⼒强、开关速度快、易⽤性好特点,可满⾜客户的⾼效率⾼可靠性需求。另外, 天驰推出的SiC⼆极管器件,具有导通损耗⼩。开关损耗⼩,抗雷击浪涌能⼒强特性,在应⽤上更能满⾜⼤功率电源的⾼能效标准等级要求。

典型拓扑

推荐产品

SJ MOSFET
ProductPackage TypeVDS MaxRDS(on) MaxVGS(th) MaxID @25℃ Max
TMF65N180E1TO220F650V180mΩ4.5V19A
TMF65N280E1TO220F650V280mΩ4.5V12.5A
TMF65N380E1TO220F650V380mΩ4.5V9.6A
TMF65N600E1TO220F650V600mΩ4.5V6.3A
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LV/MV MOSFET
ProductPackage TypeVDS MaxRDS(on) MaxVGS(th) MaxID @25℃ MaxVth(V)
TSM150N04GFDFN 5X640V1.8±20150A1.0-2.0
TSM160N04GFDFN 5X640V1.8±20160A1.0-2.0
TSM120N06GFDFN 5X660V3.4±20120A1.2-2.0
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SiC Diode
ProductPackage TypeConfigurationTechnologyVRRMIF MaxVF typ.
TCA65S20D1TO247 2LSingleeSiC D1650 V20 A1.3 V
TCA65S20D1QTO247 2LSingleeSiC D1Q650 V20 A1.4 V
TCW65D16D1TO247 3LCommon CathodeeSiC D1650 V16 A1.3 V
TCW65D16D1QTO247 3LCommon CathodeeSiC D1Q650 V16 A1.4 V
TCW65D20D1TO247 3LCommon CathodeeSiC D1650 V20 A1.3 V
TCW65D20D1QTO247 3LCommon CathodeeSiC D1Q650 V20 A1.4 V
TCW65D30D1TO247 3LCommon CathodeeSiC D1650 V30 A1.3 V
TCW65D30D1QTO247 3LCommon CathodeeSiC D1Q650 V30 A1.4 V
TCW65D40D1TO247 3LCommon CathodeeSiC D1650 V40 A1.3 V
TCW65D40D1QTO247 3LCommon CathodeeSiC D1Q650 V40 A1.4 V
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